手機(jī)殼真空鍍膜加工技術(shù)，就可以較好地解決這個(gè)難題。真空鍍膜是在原子水平上進(jìn)行材料生成的技術(shù)，鍍層的晶料度在10納米左右，屬于納米材料的范疇。通過對(duì)手機(jī)殼內(nèi)壁真空鍍電磁防護(hù)膜層，可以較大地防止因電磁波輻射而對(duì)手機(jī)使用者造成的危害。

　　鍍膜技術(shù)的研究與應(yīng)用，不僅推動(dòng)了手機(jī)制造業(yè)的發(fā)展，也推動(dòng)了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。有電磁輻射的產(chǎn)品都可以應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行電磁屏蔽，以對(duì)其使用性能進(jìn)行優(yōu)化，保護(hù)人類健康，保護(hù)環(huán)境。

　　按鍍膜機(jī)操作規(guī)程對(duì)真空室進(jìn)行抽真空。當(dāng)真空度達(dá)到3710Pa-以后，依次對(duì)舟預(yù)熔，去除膜料中的氣體。此時(shí)，應(yīng)注意用擋板擋住膜料，以保證預(yù)熔中基片不被鍍上。當(dāng)真空度達(dá)到要求后，采用/4l極值發(fā)控制光學(xué)厚度的方法進(jìn)行鍍制，可以選擇前面給出的兩種膜系中的任意一個(gè)膜系鍍膜，將控制波長放在632.8nm或其他波長。首先在玻璃基片上鍍制H層。隨著膜層增厚，放大器指示的光電流將下降。當(dāng)光電流數(shù)值剛剛開始回升時(shí)，立即將擋板擋上。